[发明专利]防反灌电流电路、防反灌电流方法及供电系统有效
申请号: | 201310057646.9 | 申请日: | 2013-02-22 |
公开(公告)号: | CN103138240A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 程杰斌;贾超;张振钰 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | H02H7/125 | 分类号: | H02H7/125 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 刘芳 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明实施例提供一种防反灌电流电路、防反灌电流方法及供电系统,所述防反灌电流电路包括检测电路、状态保持电路、比较电路以及电压识别电路。通过本实施例提供的防反灌电流电路检测变压器副线圈中心点处的电压,即桥式同步整流型供电系统的当前输出电压,由于当前输出电压会跟随桥式同步整流型供电系统的输入电压变化,当检测到副线圈中心点处的电压出现跌落时,则可以判断输入电压也出现跌落,因此向驱动电路输出关断信号,以使驱动电路根据判断信号控制副边整流电路的MOSFET关断,从而有效抑制桥式同步整流型供电系统产生反灌电流,以提高同步整流型供电系统应用的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 防反 电流 电路 方法 供电系统 | ||
【主权项】:
一种防反灌电流电路,其特征在于,所述防反灌电流电路连接在桥式同步整流型供电系统的变压器副线圈的中心点与驱动电路之间,所述驱动电路的输出端连接与所述变压器副线圈相连的副边整流电路的金属‑氧化层‑半导体‑场效晶体管MOSFET,所述驱动电路用于驱动所述副边整流电路的MOSFET;所述防反灌电流电路包括检测电路、状态保持电路、比较电路以及电压识别电路,其中:所述检测电路的输入端与所述桥式同步整流型供电系统的变压器副线圈的中心点连接,用于检测桥式同步整流型供电系统的输出电压,并输出;所述状态保持电路的输入端与所述检测电路的输出端连接,用于在保持周期内保持所述检测电路输出的所述输出电压;所述比较电路的输入端与所述检测电路的输出端以及所述状态保持电路的输出端连接,用于在所述检测电路检测的所述桥式同步整流型供电系统的当前输出电压低于所述状态保持电路保持的所述输出电压时输出高电平;所述电压识别电路的输入端与所述检测电路的输出端以及所述比较电路的输出端连接,所述电压识别电路的输出端与所述驱动电路的输入端连接,用于在所述检测电路输出的输出电压为高电平,且所述比较电路的输出为高电平时,向所述驱动电路输出关断信号,以使所述驱动电路根据所述关断信号控制所述副边整流电路的MOSFET关断。
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