[发明专利]高性能调频发射器

摘要

本发明公开了一种高性能调频发射器。它包括9V直流电源、拾音电路、振荡频率调整电路、晶体管偏置电路、高频振荡电路及发射电路，其特征在于：所述的振荡频率调整电路由电位器RP和变容二极管D1组成，电位器RP的一端接电路正极VCC，电位器RP的活动端接变容二极管D1的负极和耦合电容C1的另一端，电位器RP的另一端和变容二极管D1的正极接电路地GND。本发明采用单只NPN型晶体管，利用变容二极管调节高频振荡电路的振荡频率, 从而将声音信号调制成为调频波。因电路只使用一只NPN型晶体管，电路受前后级的牵扯和干扰少，使得振荡电路的频率比较稳定，适合用于无线耳机等高保真度信号传输，适用于课堂教学、文体娱乐等领域。

主权项

一种高性能调频发射器，它包括9V直流电源、拾音电路、振荡频率调节电路、晶体管偏置电路、高频振荡电路及发射电路，其特征在于：所述的拾音电路由驻极体话筒MIC、电阻R1、耦合电容C1组成，驻极体话筒MIC的输出端D接电阻R1的一端和耦合电容C1的一端，驻极体话筒MIC的金属外壳端S与电路地GND相连，电阻R1的另一端接电路正极VCC；所述的振荡频率调节电路由电位器RP和变容二极管D1组成，电位器RP的一端接电路正极VCC，电位器RP的活动端接变容二极管D1的负极和耦合电容C1的另一端，电位器RP的另一端和变容二极管D1的正极接电路地GND；所述的晶体管偏置电路由NPN型晶体管VT1、电阻R2、电容C2和电阻R3组成，NPN型晶体管VT1的基极接电阻R2的一端、电容C2的一端和电阻R3的一端，电阻R2的另一端接电路正极VCC，电容C2的另一端和电阻R3的另一端接电路地GND；所述的高频振荡电路及发射电路由NPN型晶体管VT1、电容C3、高频振荡线圈L1～L2、负反馈电容C4、负反馈电阻R4、耦合电容C5及发射天线ANT组成，NPN型晶体管VT1的集电极接电容C3的一端和电容C4的一端，电容C3的另一端接变容二极管D1的负极，电容C4的另一端接NPN型晶体管VT1的发射极和负反馈电阻R4的一端，负反馈电阻R4的另一端接电路地GND，NPN型晶体管VT1的集电极接高频振荡线圈L1的一端，高频振荡线圈L1的另一端接高频振荡线圈L2的一端和耦合电容C5的一端，高频振荡线圈L2的另一端接电路正极VCC，耦合电容C5的另一端接发射天线ANT；所述的9V直流电源正极与电路正极VCC相连，9V直流电源负极与电路地GND相连。