[发明专利]Bi3Se4纳米带及其作为热电材料的应用

摘要

本发明公开了一种Bi3Se4纳米带及其作为热电材料的应用，所述Bi3Se4纳米带的制备步骤如下：（1）将硒粉加入液体石蜡或ODE中，磁力搅拌，并加热至190℃以上，使硒粉充分溶解，制得Se先驱体溶液；（2）将Bi2O3加入液体石蜡或ODE中，并加入油酸，加热至230℃以上，使Bi2O3发生溶解，制得Bi先驱体溶液；（3）注射器快速抽取Se先驱体溶液加入Bi先驱体溶液中，并保持Bi/Se的摩尔比为3/4，搅拌下于230～300℃下反应15s～30min，然后倾入甲醇中淬灭反应，静置形成絮状沉淀，离心得到Bi3Se4纳米带。本发明制得的Bi3Se4材料具有纳米带状结构，可用作热电材料。本发明的制备方法具有设备简单、成本低廉、绿色环保、产物性能优良等特点，为合成高质量Bi3Se4纳米材料提供了一条切实可行的途径。

主权项

一种Bi3Se4纳米带，其特征在于：所述Bi3Se4纳米带是以Bi2O3和Se粉分别为Bi和Se组分的先驱体，以液体石蜡或十八烯为非配体溶剂，以油酸为包裹剂和稳定剂，通过胶体化学法制得；所述胶体化学法的制备步骤如下：（1）Se先驱体溶液的配制：将硒粉加入液体石蜡或十八烯中，磁力搅拌，并加热至190℃以上，使硒粉充分溶解，制得Se先驱体溶液；（2）Bi先驱体溶液的配制：将Bi2O3加入液体石蜡或十八烯中，并加入油酸，加热至230℃以上，使Bi2O3发生溶解，制得Bi先驱体溶液；（3）Bi3Se4纳米带的制备：注射器快速抽取Se先驱体溶液加入Bi先驱体溶液中，并保持Bi/Se的摩尔比为3/4，搅拌下于230～300℃下反应15s～30min，然后倾入甲醇中淬灭反应，静置形成絮状沉淀，离心得到Bi3Se4纳米带。