[发明专利]单移相器控制的集成光波导波束形成芯片及制作方法有效
申请号: | 201310047050.0 | 申请日: | 2013-02-06 |
公开(公告)号: | CN103091776A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | 王皖君;郭进;冯俊波;滕婕;曹国威;周杰;崔乃迪;谢峰;王俊 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第三十八研究所;合肥公共安全技术研究院 |
主分类号: | G02B6/122 | 分类号: | G02B6/122;G02B6/13;G02B6/136 |
代理公司: | 安徽汇朴律师事务所 34116 | 代理人: | 方荣肖 |
地址: | 230031 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明涉及一种单移相器控制的集成光波导波束形成芯片及其制作方法。该芯片包括衬底层与覆盖层。覆盖层面向衬底的一侧上设置有芯层,芯层设置有光分路器、光波导阵列、光合束器与延时模块。覆盖层上设置有覆盖于光波导阵列上方的移相器。光分路器用于接收该芯片外部光源,并均匀的分成多路光信号。光波导阵列接收该多路光信号,多路光信号经过光波导阵列时,因覆盖在光波导阵列上方的移相器的不同工作电压,相位被重新调整后,进入光合束器进行干涉,多路光信号不同的相位组合对应光合束器不同的输出端口。延时模块接收光合束器的输出对应着不同的延时量,使得芯片延时量的切换通过控制移相器实现。本发明还涉及该芯片的制作方法。 | ||
搜索关键词: | 移相器 控制 集成 波导 波束 形成 芯片 制作方法 | ||
【主权项】:
一种单移相器控制的集成光波导波束形成芯片,其包括衬底层、以及覆盖层,该覆盖层面向该衬底的一侧上设置有芯层,其特征在于,该芯层设置有光分路器、光波导阵列、光合束器以及延时模块;该覆盖层上设置有覆盖于该光波导阵列上方的移相器;该光分路器用于接收该芯片外部光源,并均匀的分成多路光信号;该光波导阵列接收该多路光信号,该多路光信号经过该光波导阵列时,因覆盖在该光波导阵列上方的移相器的不同工作电压,相位被重新调整后,进入该光合束器进行干涉,该多路光信号不同的相位组合对应该光合束器不同的输出端口;该延时模块接收该光合束器的输出对应着不同的延时量,使得该芯片延时量的切换通过控制该移相器实现。
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