[发明专利]用于计算正电子发射断层造影的吸收参数的值的方法

摘要

本发明涉及一种用于借助磁共振断层造影（MRT）计算用于检查对象（U）的正电子发射断层造影（PET）的吸收参数的位置分辨的值的方法。该方法包括：采集第一区域（M）内部的第一磁共振数据和第二区域（51）内部的第二MR数据，其中所述第一区域（M）位于磁共振设备（5）的视野内部，并且所述第二区域（51）与所述第一区域（M）紧邻并且位于视野的边缘处。本发明还涉及从第一区域（M）内部的第一MR数据中位置分辨地计算吸收参数的第一值，和根据第二区域（51）内部的第二MR数据位置分辨地计算吸收参数的第二值。从第一值获得三维参数图。用第二值扩展了该参数图，使得该参数图在第一区域和第二区域内部位置分辨地具有吸收参数的值。

主权项

一种用于借助磁共振断层造影计算用于检查对象（U）的正电子发射断层造影（PET）的吸收参数（μ）的位置分辨的值（90,91）的方法，该方法包括：‑采集在第一区域（M）内部的第一磁共振（MR）数据，其中所述第一区域（M）位于磁共振设备（5）的视野内部，‑从第一区域（M）内部的第一MR数据（80）中位置分辨地计算吸收参数（μ）的第一值（90），以获得三维（3d）参数图（70），使得该参数图（70）在第一区域（M）内部位置分辨地具有吸收参数（μ）的第一值（90）,‑采集在第二区域（51）内部的第二MR数据（81），其中所述第二区域（51）与所述第一区域紧邻并且位于视野的边缘处,‑根据第二区域（51）内部的第二MR数据（81）位置分辨地计算吸收参数（μ）的第二值（91）,‑将3d参数图（70）扩展从所述第二MR数据（81）中所计算的吸收参数（μ）的第二值（91），使得所述参数图（70）在第一区域（M）和第二区域（51）内部位置分辨地具有吸收参数（μ）的值（90,91）。