[发明专利]静态随机存取存储器单元电路在审
| 申请号： | 201310039841.9 | 申请日： | 2013-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN103971730A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 朱红卫;赵郁炜;刘国军;唐敏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种静态随机存取存储器单元电路，在双稳结构的两个信号输出端和对应的传输管之间增加分别增加一个反相器，通过增加的反相器能够实现对输出信号进行进一步的整形，从而能够大大降低噪声对输出信号的影响，提高存储单元电路的抗噪声性能，使信号输出具有较高的稳定性，这样使得本发明能应用于低电源电压的工作条件下，符合CMOS特征尺寸和工作电压的不断减小的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 静态 随机存取存储器 单元 电路 | ||
【主权项】：
一种静态随机存取存储器单元电路，其特征在于，包括：由第一反相器和第二反相器组成的双稳结构，所述第一反相器的输入端连接所述第二反相器的输出端、所述第二反相器的输入端连接所述第一反相器的输出端，所述第一反相器的输出端和所述第二反相器的输出端存储一对反相的信号；所述第一反相器由第一PMOS管和第一NMOS管连接形成，所述第二反相器由第二PMOS管和第二NMOS管连接形成；由第三PMOS管和第三NMOS管连接形成的第三反相器，所述第三反相器的输入端连接所述第一反相器的输出端；由第四PMOS管和第四NMOS管连接形成的第四反相器，所述第四反相器的输入端连接所述第二反相器的输出端；用作传输管的第五NMOS管和第六NMOS管，所述第五NMOS管的源极连接所述第三反相器的输出端、所述第五NMOS管的漏极连接位线一，所述第六NMOS管的源极连接所述第四反相器的输出端、所述第六NMOS管的漏极连接位线二，所述第五NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的栅极都接字线。
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