[发明专利]一种超低功耗电平位移电路

摘要

一种超低功耗电平位移电路，属于集成电路技术领域。由三级PMOS管和一级NMOS管构成的两个支路形成对称结构；两支路中第一级PMOS管漏极接第二级PMOS管源极，第二级PMOS管漏极接第三级PMOS管源极，第三级PMOS管漏极接第一级NMOS管漏极；第一级PMOS管源极接VDDH，第三级PMOS管栅极接VDDL，第一级NMOS管源极接地；两支路中，一个支路的第二级PMOS管栅极接另一支路的第二级PMOS管漏极，一个支路的第一级PMOS管栅极通过一个电阻接另一支路的第二级PMOS管漏极。本发明通过引入延迟使得PMOS管的开启/关断速度不一样来减少穿通电流，显著降低了功耗，更适合于低压低功耗的应用。

主权项

一种超低功耗电平位移电路，包括分别由三级PMOS管和一级NMOS管构成的支路一和支路二；支路一中第一级PMOS管（MP5）的漏极接第二级PMOS管（MP3）的源极，第二级PMOS管（MP3）的漏极接第三级PMOS管（MP1）的源极，第三级PMOS管（MP1）的漏极接第一级NMOS管（MN1）的漏极；支路二中第一级PMOS管（MP6）的漏极接第二级PMOS管（MP4）的源极，第二级PMOS管（MP4）的漏极接第三级PMOS管（MP2）的源极，第三级PMOS管（MP2）的漏极接第一级NMOS管（MN2）的漏极；支路一和支路二的第一级PMOS管（MP5和MP6）的源极接高电压域的高电源电压VDDH，支路一和支路二的第三级PMOS管（MP1和MP2）的栅极接高电压域的低电源电压VDDL，支路一和支路二的第一级NMOS管（MN1和MN2）的源极接地；支路一的第二级PMOS管（MP3）的栅极接支路二的第二级PMOS管（MP4）的漏极，支路二的第二级PMOS管（MP4）的栅极接支路一的第二级PMOS管（MP3）的漏极；支路一的第一级PMOS管（MP5）的栅极通过第二电阻（R2）接支路二的第二级PMOS管（MP4）的漏极，支路二的第一级PMOS管（MP6）的栅极通过第一电阻（R1）接支路一的第二级PMOS管（MP3）的漏极；两路等幅反相的低电压域输入信号中，第一低电压域输入信号IN1接支路一的第一级NMOS管（MN1）的栅极，第二低电压域输入信号IN2接支路二的第一级NMOS管（MN2）的栅极；支路一的第二级PMOS管（MP3）的漏极输出第一路高电压域输出信号OUT1，支路二的第二级PMOS管（MP4）的漏极输出第二路高电压域输出信号OUT2。