[发明专利]至少含一个憎水嵌段组分的共聚物聚电解质及合成方法在审

专利信息
申请号: 201310021708.0 申请日: 2013-01-22
公开(公告)号: CN103936990A 公开(公告)日: 2014-07-23
发明(设计)人: 曹曙光 申请(专利权)人: 曹曙光
主分类号: C08G75/23 分类号: C08G75/23;C08G65/40;C08G65/48;H01M8/10;H01M8/02;C09D11/52;B01D71/80
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种至少含一个憎水嵌段组分的共聚物聚电解质及合成方法,所述共聚物聚电解质,组成结构为:-{-[-(-Ar1-X-Ar1-Y-Ar2-Y-)n-Ar1-X-Ar1-E-]a-(Ar3)b-E-(Ar2)c-Y-(Ar1-X-Ar1)d-}k-..........,合成步骤为:步骤1)先制备设定分子量的憎水聚合物M部分;步骤2)将步骤1)制备好的憎水聚合物M部分作为一种多官能团的组分与其它多官能团组分再进行共聚合。本发明合成的共聚物聚电解质所制备的膜材料具有很强的力学性能,可用作高性能分离膜材料,可以用作燃料电池用的质子导电隔膜,也可以作为涂布所用墨水中的导电组分。
搜索关键词: 至少 一个 憎水嵌段 组分 共聚物 电解质 合成 方法
【主权项】:
至少含一个憎水嵌段组分的共聚物聚电解质,其特征在于,组成结构为:‑{‑[‑(‑Ar1‑X‑Ar1‑Y‑Ar2‑Y‑)n‑Ar1‑X‑Ar1‑E‑]a‑(Ar3)b‑E‑(Ar2)c‑Y‑(Ar1‑X‑Ar1)d‑}k‑..........或‑{‑[‑Ar2‑(‑Ar1‑X‑Ar1‑Y‑Ar2‑Y‑)n‑]a‑(Ar3)b‑Y‑(Ar2)c‑Y‑(Ar1‑X‑Ar1)d‑}k‑..........,其中‑‑[‑(‑Ar1‑X‑Ar1‑Y‑Ar2‑Y‑)n‑Ar1‑X‑Ar1‑E‑]a‑‑为憎水聚合物M部分,Ar1为苯基、奈基,三苯基、苯氰基或‑Ar4‑‑R1‑Ar5‑‑,其中R1为‑C(O)‑‑,‑‑S(O)2‑‑,‑‑P(O)(C6H5)‑‑,‑‑C(O)‑Ar‑C(O)‑‑或‑‑C(O)‑Ar6‑S(O)2‑‑,Ar4,Ar5,Ar6为芳香基团或取代芳香基团;Ar2为‑O‑Ar7‑R2‑Ar8‑O‑‑;R2为单个共价键,环烷烃C2H2n‑2Ar7,Ar8为芳香基团或取代芳香基团;其中X为‑C(O)‑‑,‑‑S(O)2‑‑,‑‑P(O)(C6H5)‑‑,‑‑C(O)‑Ar‑C(O)‑‑或‑‑C(O)‑Ar6‑S(O)2‑‑,Ar4,Ar5,Ar6为芳香基团或取代芳香基团;Y为‑S‑,‑O‑;E单个共价键,聚电解质为聚苯撑结构,或者为‑S‑,‑O‑;n,为0到20的整数;k,为20到200的整数;a,b,c,d,为摩尔数或者为百分比,其中a+b+d=c;Ar3为带亲水性离子基团的芳香部分,其结构为:Z为氢原子或强吸电子基团,为CN,NO2或CF3;A为‑C(O)‑‑,‑‑S(O)2‑‑;B为‑‑O‑‑,‑‑S‑‑,‑‑CH2‑‑或‑‑OCH2CH2O‑‑;Ar为芳香基团或取代芳香基团;Ra,Rb为‑SO3H,‑‑COOH,‑‑PO3H或‑‑SO2NHSO2R,Ra,Rb相同或不同,在‑‑SO2NHSO2R中R为CF2n+1;x,y,g,为1到100的整数。
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