[发明专利]一种用于减少晶片边缘区域曝光散焦的曝光方法及光刻工艺有效
| 申请号： | 201310011428.1 | 申请日： | 2013-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN103076722A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 王辉;黄兆兴 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 马晓亚 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于减少晶片边缘区域曝光散焦的曝光方法，该方法包括：保持晶片中心区域的曝光能量和焦距不变，对晶片边缘区域的曝光能量和曝光焦距进行调整。具体为在进行曝光的过程中，将晶片边缘区域的曝光焦距向正方向调整，曝光能量减小。本发明同时还提供了一种包括上述曝光方法的光刻工艺。该发明通过调整曝光过程中晶片边缘的焦距和能量，在不更新先进的机台而且不更改光刻胶的前提下，仅通过优化光刻程序，解决晶片边缘曝光散焦的问题，验证周期短，而且没有额外的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 减少 晶片 边缘 区域 曝光 散焦 方法 光刻 工艺 | ||
【主权项】：
一种用于减少晶片边缘区域曝光散焦的曝光方法，其特征在于：在对晶片进行曝光的过程中，调整晶片中心区域与晶片边缘区域的曝光能量，在将晶片边缘区域曝光能量减小的同时使晶片边缘区域的曝光焦距向正方向调整。
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