[发明专利]开关电源变换器的电源电路有效
申请号: | 201310011305.8 | 申请日: | 2013-01-11 |
公开(公告)号: | CN103023337A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 刘慧明;王为;黄剑锋 | 申请(专利权)人: | 聚辰半导体(上海)有限公司 |
主分类号: | H02M3/335 | 分类号: | H02M3/335;H02M1/36 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 骆希聪 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种开关电源变换器的电源电路,包括电流源和比较器。该电流源从该开关电源变换器的线电压向一电源端提供电流。该比较器,比较该电源端的电源电压与一第一参考电压,当该电源电压达到该第一参考电压时,发出一第一控制信号以关断该电流源。本发明的电源电路,既可以保证启动过程中提供足够的能量使电源端达到工作阈值进而让芯片正常工作,又能在电源端满足系统要求之后,关断电流源,实现极低系统待机功耗的要求。 | ||
搜索关键词: | 开关电源 变换器 电源 电路 | ||
【主权项】:
一种开关电源变换器的电源电路,包括:一电流源,从该开关电源变换器的线电压向一电源端提供电流;一比较器,比较该电源端的电源电压与一第一参考电压,当该电源电压达到该第一参考电压时,发出一第一控制信号以关断该电流源;其中该电流源包括一结型场效应管、一第一电阻、一第二电阻、一第三电阻、一PMOS管、一第一NMOS管、一第二NMOS管、一第三NMOS管、以及一第四NMOS管,该结型场效应管的漏极输入该线电压,该第一电阻的一端连接该结型场效应管的源极,另一端连接该第四NMOS管的漏极,该第四NMOS管的源极连接该电源端,该第二电阻的一端连接该结型场效应管的源极,该第二电阻的另一端连接该第四NMO管的栅极,该PMOS管的栅极连接该第一电阻的另一端,该PMOS管的源极连接该结型场效应管的源极;该第三NMOS管的漏极连接该PMOS管的漏极,该第三NMOS管的栅极连接该第三NMOS管的漏极,该第三NMOS管的源极接地,该第二NMOS管的漏极连接该第四NMOS管的栅极,该第二NMOS管的源极接地,该第二NMOS管的栅极连接该第三NMOS管的栅极,该第一NMOS管的漏极连接该第四MOS管的栅极,该第一NMOS管的源极接地,该第一NMOS管的栅极输入该第一控制信号,该第三电阻的一端连接该第一NMOS管的栅极,该第三电阻的另一端连接该第一NMOS管的源极。
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