[发明专利]一种直拉硅单晶用石墨导流筒基体强化及表面涂层方法

摘要

一种直拉硅单晶用石墨导流筒基体强化及表面涂层的方法，包括以下步骤：（1）表面预处理；（2）采用碳氢气体进行化学气相沉积，强化基体；（3）按质量配比碳化硅粉∶硅粉∶溶剂=1∶（3～5）∶（6～8）的比例将各原料混合，搅拌均匀，得浆料；将所得浆料均匀涂覆于石墨导流筒表面，涂覆厚度30～50μm，然后置入固化炉中进行烘烤处理；（4）将石墨导流筒置于高温炉中进行原位反应，制得SiC外层；（5）将石墨导流筒置于化学气相沉积炉内，采用碳氢气体进行化学气相沉积。利用本发明，能有效地提高石墨导流筒在高温使用过程中的强度，可有效解决现有的石墨导流筒在短期使用后出现外表面氧化，整体开裂，掉块等现象的问题。

主权项

一种直拉硅单晶用石墨导流筒基体强化及表面涂层的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）对石墨导流筒的表面进行抛光、清洗和干燥处理；（2）将经步骤（1）处理后的石墨导流筒置于化学气相沉积炉内，采用碳氢气体进行化学气相沉积，沉积温度为900～1200℃，沉积时间50～100小时，碳氢气体流量为30～50L/min，氮气流量为15～30L/min；（3）按质量配比碳化硅粉:硅粉:溶剂=1:（3～5）:（6～8）的比例将各原料混合，搅拌均匀，得浆料；采用刷涂法或喷涂法将所得浆料均匀涂覆于经步骤（2）处理后的石墨导流筒表面，涂覆厚度30～50μm，然后置入固化炉中进行烘烤处理，以60±2℃/h的升温速率升温至160～200℃，保温烘烤1～2小时；（4）将经步骤（3）处理后的石墨导流筒置于高温炉中进行原位反应，反应温度为1850～2300℃，采用氮气或氩气保护，保温反应2～6小时，制得SiC外层；（5）将经步骤（4）处理后的石墨导流筒置于化学气相沉积炉内，采用碳氢气体进行化学气相沉积，沉积温度为900～1200℃，沉积时间为10～20小时，碳氢气体流量为20～40L/min，氮气流量为10～20L/min。