[发明专利]沟槽MOS器件中位错型漏电分析方法有效
| 申请号： | 201310003710.5 | 申请日： | 2013-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN103913687A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 赖华平;张君;徐云 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽MOS器件中位错型漏电分析方法，包括步骤：采用EMMI分析方法获取缺陷位置，缺陷位置对应于发光点，控制EMMI分析条件使发光点的直径小于等于1.5微米；采用FIB方法在缺陷位置处制备TEM样品，TEM样品的中心和缺陷位置的中心重合且TEM样品的厚度大于等于缺陷位置处的发光点的直径；对TEM样品进行TEM分析。本发明能针对位错引起的漏电失效，实现更快速准确的定位与分析确认。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 mos 器件 中位错型 漏电 分析 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽MOS器件中位错型漏电分析方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、采用EMMI分析方法在沟槽MOS器件芯片中获取缺陷位置，所述缺陷位置对应于发光点，控制EMMI分析条件使所述缺陷位置处的发光点的直径小于等于1.5微米；步骤二、采用FIB方法在所述缺陷位置处制备TEM样品，所述TEM样品的中心和所述缺陷位置的中心重合且所述TEM样品的厚度大于等于所述缺陷位置处的发光点的直径，所述TEM样品的截面和所述沟槽MOS器件的沟槽的晶面方向垂直，且所述TEM样品的截面的晶面指数属于晶面族{100}；步骤三、对所述TEM样品进行TEM分析。
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