[发明专利]双硬掩模光刻工艺

摘要

使用线图案对互连级电介质层之上的第一金属硬掩模层图案化。至少一个电介质材料层、第二金属硬掩模层、第一有机平面化层(OPL)以及第一光刻胶被施加在第一金属硬掩模层之上。第一通路图案被从所述第一光刻胶层转移到所述第二金属硬掩模层。第二OPL和第二光刻胶层被施加并使用第二通路图案进行图案化，该第二通路图案被转移到所述第二金属硬掩模层内。第一和第二通路图案的第一合成图案被转移到所述至少一个电介质材料层内。使用第一金属硬掩模层中的开口区域限制第一合成图案的第二合成图案被转移到互连级电介质材料层内。

主权项

一种形成结构的方法，包括：形成至少包括电介质材料层(20)和第一金属硬掩模层(40)的堆叠；用至少一个线图案来图案化所述第一金属硬掩模层；在图案化的所述第一金属硬掩模层之上至少形成第二金属硬掩模层(70)；将第一有机平面化层(OPL)(80)沉积在所述第二金属硬掩模层之上；通过第一蚀刻将第一光刻图案经由所述第一OPL转移到所述第二金属硬掩模层内；从所述第二金属硬掩模层之上移除所述第一OPL；将第二OPL(180)沉积在所述第二金属硬掩模层之上；通过第二蚀刻将第二光刻图案经由所述第二OPL转移到所述第二金属硬掩模层内，其中第一合成图案包括所述第一光刻图案并且所述第二光刻图案被形成在所述第二金属硬掩模层(70)中；以及将包括所述第一合成图案与所述至少一个线图案的交叉的第二合成图案转移到所述电介质材料层内。