[发明专利]有机无机复合薄膜有效
| 申请号： | 201280069083.9 | 申请日： | 2012-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN104114622A | 公开（公告）日： | 2014-10-22 |
| 发明（设计）人： | 熊泽和久;芝田大干;木村信夫 | 申请（专利权）人： | 日本曹达株式会社 |
| 主分类号： | C08J7/00 | 分类号： | C08J7/00;C08J7/04 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题在于：对表面具有比内部高的硬度的由聚硅氧烷系的有机无机复合体构成的膜的表面进一步进行无机质化。本发明的有机无机复合薄膜为具有含有a)式(I)所示的有机硅化合物的缩合物和b)有机高分子化合物的层的有机无机复合薄膜，在该膜的表面形成式(I)所示的有机硅化合物的缩合物浓缩而成的层，距离表面10nm的深度的碳原子的浓度与距离表面100nm的深度的碳原子的浓度相比，少20％以上，并且，距离膜的表面2nm的深度的O/Si元素比为18～2.5。RnSiX4-n (I)(式中，R表示碳原子与Si直接结合的有机基，X表示羟基或水解性基。n表示1或2，n为2时，各R相同或不同，(4-n)为2以上时，各X相同或不同)。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 无机 复合 薄膜 | ||
【主权项】：
一种有机无机复合薄膜，其特征在于：含有a)式(I)所示的有机硅化合物的缩合物和b)有机高分子化合物，RnSiX4‑n (I)式中，R表示碳原子与Si直接结合的有机基，X表示羟基或水解性基，n表示1或2，n为2时，各R相同或不同，4‑n为2以上时，各X相同或不同，在该膜的表面形成式(I)所示的有机硅化合物的缩合物浓缩而成的层，距离表面10nm的深度的碳原子的浓度与距离表面100nm的深度的碳原子的浓度相比，少20％以上，并且，距离膜的表面2nm的深度的O/Si元素比为1.8～2.5。
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