[发明专利]低弯曲损耗光纤

摘要

根据某些实施例，一种单模光纤包括：掺杂氧化锗的中芯区，具有外半径r₁和相对折射率Δ₁；和包层区，包括(i)第一内包层区，具有外半径r₂>6微米、和相对折射率Δ₂且0.3≤r₁/r₂≤0.85；和(ii)和第二内包层区，具有外半径r₃>9微米且包括最小相对折射率德尔塔Δ₃，其中所述第二内包层区具有至少一个区，该区具有随着半径增加变得更负的相对折射率德尔塔；和(iii)外包层区，围绕内包层区且包括相对折射率Δ₄，其中Δ₁>Δ₂>Δ₃,Δ₃<Δ₄。

主权项

1.一种单模光纤，包括：中芯区，具有外半径r₁和相对折射率Δ₁；包层区，包括(i)第一内包层区，与所述中芯区直接相邻，并且具有外半径r₂>6微米、和相对折射率Δ₂且0.3≤r₁/r₂≤0.85；(ii)和第二内包层区，具有外半径r₃>9微米且包括最小相对折射率德尔塔Δ_3,最小，其中第二内包层区的体积的绝对值V₃为35％Δμm²≤V₃≤105％Δμm²，其中Δ_(2‑3)(r)是Δ₂与Δ₃之差，并且其中所述第二内包层区具有相对折射率德尔塔随着半径增加变得更负的至少一个区，并且1.5≥β≥0.25，其中参数且其中是所述第二内包层区中的平均折射率斜率，并且其中50≥α_t,其中α_t是沟槽阿尔法参数；和(iii)外包层区，围绕内包层区且包括相对折射率Δ₄，其中Δ₁>Δ₂>Δ₃,Δ₃<Δ₄，且0.25≤│Δ₄‑Δ₃│≤0.7。