[发明专利]贵金属膜的连续成膜方法和电子零件的连续制造方法有效
| 申请号： | 201280064719.0 | 申请日： | 2012-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN104011254A | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 若柳俊一;渡边荣作 | 申请（专利权）人： | 佳能安内华股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/00 | 分类号： | C23C14/00;C23C14/14 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在利用等离子体溅射连续地进行贵金属膜的成膜处理时，防止由于腔室的内壁被贵金属覆膜覆盖而使二次电子的发射特性降低的情况，以谋求生成和维持等离子体。在进行使贵金属膜形成在任意的基板上的成膜处理之后且在对接下来的基板进行成膜处理之前，在腔室内壁形成由二次电子发射系数比该贵金属的二次电子发射系数高的材料构成的二次电子发射覆膜。 | ||
| 搜索关键词： | 贵金属 连续 方法 电子零件 制造 | ||
【主权项】：
一种贵金属膜的连续成膜方法，该连续成膜方法连续地对多个基板进行如下工序，即，将基板输入到腔室内，在上述腔室内利用等离子体溅射在上述基板之上形成由贵金属构成的膜，之后将上述基板自上述腔室内输出，其特征在于，在将形成有由上述贵金属构成的膜的任意的基板自上述腔室内输出起到将在接下来进行成膜的基板输入到上述腔室内为止的期间中，在上述腔室的内壁表面上形成由二次电子发射系数比上述贵金属的二次电子发射系数高的材料构成的二次电子发射覆膜。
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