[发明专利]二次电池用活性物质、二次电池和电子装置有效

专利信息
申请号: 201280061960.8 申请日: 2012-12-05
公开(公告)号: CN103988347A 公开(公告)日: 2014-08-13
发明(设计)人: 广濑贵一;川濑贤一;下位法弘;田中伸史 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01M4/48 分类号: H01M4/48;H01M4/36;H01M4/38;H01M4/66;H01M10/0525;H01M10/0566
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚;梁韬
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供了一种能够获得优异的电池特性的二次电池。本技术的二次电池设置有正极、包括活性材料的负极和电解液。活性物质包括核部分和低结晶性或非结晶性的覆盖部分,所述核部分能够嵌入和脱嵌锂离子,所述覆盖部分设置在核部分的表面的至少一部分中。核部分包括Si和O作为构成元素,并且如果O相对于Si的原子比率x(O/Si)为x,则x满足0≤x<0.5。覆盖部分包括Si和O作为构成元素,并且如果O相对于Si的原子比率y(O/Si)为y,则y满足0.5≤y≤1.8。覆盖部分具有空隙,并且在所述空隙的至少一部分中设置含碳材料。
搜索关键词: 二次 电池 活性 物质 电子 装置
【主权项】:
一种二次电池,包括:正极;负极,包括活性物质;以及电解液,其中,所述活性物质包括核部分和覆盖部分,所述核部分能够嵌入和脱嵌锂离子,所述覆盖部分设置在所述核部分的表面的至少一部分中并且为低结晶性或非结晶性,所述核部分包括Si和O作为构成元素,并且O相对于Si的原子比率x(O/Si)满足0≤x<0.5,所述覆盖部分包括Si和O作为构成元素,并且O相对于Si的原子比率y(O/Si)满足0.5≤y≤1.8,并且所述覆盖部分具有空隙,并且在所述空隙中的至少一部分中设置有含碳材料。
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