[发明专利]电子/光子集成电路架构及其制造方法有效
| 申请号： | 201280061229.5 | 申请日： | 2012-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN103998960B | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | 陈龙;彼得罗·贝尔纳斯科尼;董甫;章力明;陈扬凯 | 申请（专利权）人： | 阿尔卡特朗讯 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种装置(100)包含无源光子层(130p)，所述无源光子层(130p)位于衬底(110)上方且包含至少一个无源光子元件(150)，所述至少一个无源光子元件(150)经配置以在其中传播光学信号。位于所述衬底(110)与所述无源光子层(130p)之间的电子层(120)包含至少一个电子装置(122，123，126)，所述至少一个电子装置(122，123，126)经配置以在其中传播电信号。位于所述无源光子层(130p)上方的有源光子层(130a)包含有源光子装置(160)，所述有源光子装置(160)光学地耦合到所述无源光子元件(150)且经配置以在所述电信号与所述光学信号之间转换。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 光子 集成电路 架构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种装置，其包括：衬底；无源光子层，其位于所述衬底上方且包含至少一个以硅为基础的介电无源光子元件，所述至少一个无源光子元件经配置以在其中传播光学信号；电子层，其位于所述衬底与所述无源光子层之间且包含至少一个电子装置，所述至少一个电子装置经配置以在其中传播电信号；及有源光子层，其位于所述无源光子层上方且包含以III‑V为基础的有源光子装置，所述有源光子装置光学地耦合到所述以硅为基础的介电无源光子元件且经配置以在所述电信号与所述光学信号之间转换，并且其中以III‑V为基础的有源光子装置至少部分地位于所述以硅为基础的介电无源光子元件的上方，或至少部分地位于以硅为基础的半导体光学过渡元件的上方，所述以硅为基础的半导体光学过渡元件与所述以硅为基础的介电无源光子元件重叠。
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