[发明专利]高密度多电极阵列有效
| 申请号： | 201280058828.1 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN103957990A | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 程慷果;A·哈希比;A·卡基菲鲁兹;D·S·莫德哈 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | A61N1/04 | 分类号： | A61N1/04;A61N1/05;A61N1/36 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 贺月娇;于静 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种方法，包括：在衬底(106)中形成一个或多个沟槽(104)；用电介质衬里(112)为所述一个或多个沟槽(104)加衬；用导电电极(102)填充所述一个或多个沟槽(104)以形成一个或多个沟槽电极(102)；在所述衬底(106)上形成晶体管层(108)；将所述一个或多个沟槽电极(102)中的每一个连接到所述晶体管层(108)中的至少一个存取晶体管(716)；以及减薄所述衬底(106)以暴露每一个所述沟槽电极(102)的至少一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 电极 阵列 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在衬底(106)中形成一个或多个沟槽(104)；用电介质衬里(112)为所述一个或多个沟槽(104)加衬；用导电电极(102)填充所述一个或多个沟槽(104)以形成一个或多个沟槽电极(102)；在所述衬底(106)上形成晶体管层(108)；将所述一个或多个沟槽电极(102)中的每一个连接到所述晶体管层(108)中的至少一个存取晶体管(716)；以及减薄所述衬底(106)以暴露每一个所述沟槽电极(102)的至少一部分。
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