[发明专利]双面研磨方法有效
| 申请号： | 201280052936.8 | 申请日： | 2012-10-04 |
| 公开（公告）号： | CN103889655A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 青木一晃;大叶茂 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | B24B37/08 | 分类号： | B24B37/08;B24B49/10;B24B49/12;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人： | 朱健 |
| 地址： | 日本东京都千*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是一种双面研磨方法，其以粘贴有研磨布的上下平台夹入保持于载具的晶片，并使载具自转和公转，一边供给研磨剂一边同时研磨晶片的双面而进行晶片的双面研磨，上述双面研磨方法其特征在于，具有：第一研磨工序，其以高研磨速率进行研磨；以及，第二研磨工序，其继而以低研磨速率进行研磨，并包括：研磨后测定晶片的平坦度的工序；以及，基于平坦度的测定结果设定下一次研磨时的第二研磨工序的研磨条件的工序。由此提供一种双面研磨方法，其不受载具厚度的经时变化影响，能够稳定地改进晶片的平坦度。 | ||
| 搜索关键词： | 双面 研磨 方法 | ||
【主权项】：
一种双面研磨方法，其以粘贴有研磨布的上下平台夹入保持于载具的晶片，并使上述载具自转和公转，一边供给研磨剂一边同时研磨上述晶片的双面而进行晶片的双面研磨，上述双面研磨方法其特征在于，具有：第一研磨工序，其以高研磨速率进行研磨；以及，第二研磨工序，其继而以低研磨速率进行研磨，并包括：研磨后测定上述晶片的平坦度的工序；以及，基于上述平坦度的测定结果设定下一次研磨时的上述第二研磨工序的研磨条件的工序。
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