[发明专利]PTC热敏电阻器及PTC热敏电阻器的制造方法有效

专利信息
申请号: 201280051963.3 申请日: 2012-10-03
公开(公告)号: CN103889926A 公开(公告)日: 2014-06-25
发明(设计)人: 松永达也 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: C04B35/468 分类号: C04B35/468;H01C7/02
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 齐秀凤
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供一种使用了居里点较低而且可在室温附近的较低温度下动作、且室温电阻低、电阻温度特性高的钛酸钡系半导体陶瓷的PTC热敏电阻器。作为构成PTC热敏电阻器的半导体陶瓷,使用如下半导体陶瓷:含有钙钛矿型化合物、Mn、及半导体化剂,该钙钛矿型化合物包含Ba、Ti、Sr及Ca,且在将Ba、Sr、Ca及半导体化剂的合计含有摩尔部设为100时的Sr的含有摩尔部a、Ca的含有摩尔部b是在20.0≤a≤22.5时,12.5≤b≤17.5,在22.5≤a≤25.0时,12.5≤b≤15.0,在将Ti及Mn的合计含有摩尔部设为100时的Mn的含有摩尔部c是0.030≤c≤0.045。
搜索关键词: ptc 热敏 电阻器 制造 方法
【主权项】:
一种PTC热敏电阻器,其包括半导体陶瓷基体和形成于所述半导体陶瓷基体的外表面的外部电极,所述PTC热敏电阻器的特征在于:所述半导体陶瓷基体含有钙钛矿型化合物、Mn及半导体化剂,该钙钛矿型化合物包含Ba、Ti、Sr及Ca,在将Ba、Sr、Ca及半导体化剂的合计含有摩尔部设为100时的Sr的含有摩尔部a及Ca的含有摩尔部b满足在20.0≤a≤22.5时,12.5≤b≤17.5;在22.5≤a≤25.0时,12.5≤b≤15.0,在将Ti及Mn的合计含有摩尔部设为100时的Mn的含有摩尔部c满足0.030≤c≤0.045。
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