[发明专利]氢氯硅烷生产中结垢的降低有效
| 申请号： | 201280051603.3 | 申请日： | 2012-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN104080738B | 公开（公告）日： | 2015-12-23 |
| 发明（设计）人： | 施泰因·朱尔斯鲁德;安娅·奥拉夫森·斯耶斯塔德 | 申请（专利权）人： | 瑞科硅公司 |
| 主分类号： | C01G49/00 | 分类号： | C01G49/00;C01B33/107;B01J19/24 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 杨青;穆德骏 |
| 地址： | 美国华*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了用于减少氢氯硅烷生产设备中铁硅化物和/或铁磷化物结垢和/或腐蚀的实施方式。在四氯化硅工艺料流中包含充足的三氯硅烷以最小化氯化氢的形成，从而抑制铁(II)氯化物的形成并降低铁硅化物和/或铁磷化物结垢、过热器腐蚀或其组合。 | ||
| 搜索关键词： | 硅烷 生产 结垢 降低 | ||
【主权项】：
一种用于减少氢氯硅烷生产设备中铁硅化物和/或铁磷化物结垢和腐蚀的方法，所述生产设备包括四氯化硅过热器和氢化反应器，其中一个或多个生产设备组件包含铁和/或其中硅进料包含痕量铁，所述方法包括：在四氯化硅工艺料流中包含足够浓度的三氯硅烷以抑制HCl形成，从而抑制FeCl2蒸气形成并减少铁硅化物结垢、铁磷化物结垢、过热器腐蚀或其组合，其中三氯硅烷的浓度为0.2mol％至2mol％。
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