[发明专利]横截面扩张模式共振器有效
| 申请号： | 201280048214.5 | 申请日： | 2012-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN103975525A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 左诚杰;长汉·运;智升·罗;卫斯里·纳桑尼尔·艾伦;马里奥·弗朗西斯科·韦莱兹;龙海·金 | 申请（专利权）人： | 高通MEMS科技公司 |
| 主分类号： | H03H9/24 | 分类号： | H03H9/24;H03H9/02;H03H9/46 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 孙宝成 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示机电系统扩张模式共振器DMR结构。所述DMR包含第一电极层、第二电极层及由压电材料形成的压电层。所述压电层具有包含以下各项的尺寸：在X轴与垂直于所述X轴的Y轴的平面中的横向距离D以及沿垂直于所述X轴及所述Y轴的Z轴的厚度T。所述厚度与所述横向距离的数值比T/D经配置以响应于提供到所述电极中的一者或一者以上的信号而提供所述压电层的具有沿所述Z轴及沿所述X轴与所述Y轴的所述平面的位移的振动模式。梯式滤波器电路可构造有DMR作为串联及/或分路元件，且所述共振器可具有螺旋配置。 | ||
| 搜索关键词： | 横截面 扩张 模式 共振器 | ||
【主权项】：
一种压电共振器结构，其包括：一个或一个以上电极的第一导电层；一个或一个以上电极的第二导电层；以及压电层，其由压电材料形成且安置于所述第一导电层与所述第二导电层之间，所述压电层具有包含以下各项的尺寸：在X轴与垂直于所述X轴的Y轴的平面中的横向距离D以及沿垂直于所述X轴及所述Y轴的Z轴的厚度T，所述厚度与所述横向距离的数值比T/D经配置以响应于提供到所述电极中的一者或一者以上的信号而提供所述压电层的具有沿所述Z轴及沿所述X轴与所述Y轴的所述平面的位移的振动模式。
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