[发明专利]发热点检测方法及发热点检测装置有效

专利信息
申请号: 201280034675.7 申请日: 2012-07-11
公开(公告)号: CN103688160A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 中村共则 申请(专利权)人: 浜松光子学株式会社
主分类号: G01N25/72 分类号: G01N25/72
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发热点检测方法包含:步骤(S01、S02),其对集成电路(S)施加低频率的偏压,并取得对应于此而自集成电路(S)检测的发热检测信号;步骤(S03、S04),其对集成电路(S)提供高频率的偏压,并取得对应于此而自集成电路(S)检测的发热检测信号;步骤(S05~S07),其检测低频率的偏压与发热检测信号之间的相位差、及高频率的偏压与发热检测信号之间的相位差;及步骤(S08),其基于这些相位差,算出相对于偏压的频率的平方根的相位差的变化率,并根据变化率获得发热点的深度信息。
搜索关键词: 发热 检测 方法 装置
【主权项】:
一种发热点检测方法,其特征在于,是检测集成电路的发热点的深度的发热点检测方法,包含:第1步骤,其对所述集成电路提供以第1频率增减的周期性电信号,并取得对应于此而自所述集成电路检测的显示发热量的变化的第1检测信号;第2步骤,其对所述集成电路提供以与所述第1频率不同的第2频率增减的周期性电信号,并取得对应于此而自所述集成电路检测的显示发热量的变化的第2检测信号;第3步骤,其检测所述第1频率的周期性电信号与所述第1检测信号之间的第1相位差、及所述第2频率的周期性电信号与所述第2检测信号之间的第2相位差;及第4步骤,其基于所述第1及第2相位差,算出相对于自所述周期性电信号的频率算出的变量的所述周期性电信号与所述检测信号之间的相位差的变化率,并根据所述变化率获得所述发热点的深度信息。
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