[发明专利]激光器有效
| 申请号： | 201280033151.6 | 申请日： | 2012-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN103636084A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 钟日锡 | 申请（专利权）人： | 丹麦技术大学 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026;H01S5/02;H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 杨生平;钟锦舜 |
| 地址： | 丹麦*** | 国省代码： | 丹麦;DK |
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| 摘要： | 发明提供了一种用于硅平台上的光电路的光源。通过在半导体结构或晶片结构中的硅层中形成包括活性材料的光栅区，由布置在两者均充当反射镜的第一反射镜结构和第二反射镜结构之间的增益区形成垂直激光腔。用于从反射镜的区域接收光的波导在反射镜的区域内形成或被连接到该区域，并充当用于VCL的输出耦合器。从而，垂直激光模式被耦合到形成于硅层中的平面内波导的横向平面内模，并且能够向例如在硅中的SOI或CMOS基板上的光子电路提供光。 | ||
| 搜索关键词： | 激光器 | ||
【主权项】：
一种激光器，包括：腔25，其由在基板30上的半导体层31、10中形成的第一镜像结构15和第二镜像结构35限定并且被布置成支持沿着垂直于所述基板30的平面的振荡轴的光振荡，第一镜像结构15，其为在第一半导体材料层10中形成的光栅15的形式；活性增益材料，其在所述第一镜像结构15内被提供；以及电接点，其用于通过所述活性增益材料汲取电流以促进激光发射，其中用于通过所述活性增益材料施加电流的电接点被定位在如在各层的平面中所看到的所述活性增益材料的相对侧上的第一镜像结构中。
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