[发明专利]膜表面处理方法及装置有效
申请号: | 201280030972.4 | 申请日: | 2012-08-27 |
公开(公告)号: | CN103619926A | 公开(公告)日: | 2014-03-05 |
发明(设计)人: | 村上淳之介;中野良宪;长谷川平 | 申请(专利权)人: | 积水化学工业株式会社 |
主分类号: | C08J7/18 | 分类号: | C08J7/18;C08J7/00;C08J7/04;G02B5/30 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 蒋亭 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明在提高用于偏振板的保护膜等的树脂制的被处理膜的粘接性的同时,提高通过粘接而形成的偏振板等膜层叠体的耐热水性。第一处理部(91)中,使含有聚合性单体及交联性添加成分的第一气体与被处理膜(9)接触(第一处理工序)。在第一处理工序后或与第一处理工序并行地,使氮气等放电生成气体进行等离子体化,而与被处理膜(9)接触(第二处理工序)。将交联性添加成分相对于聚合性单体的含有率设定在规定范围内,优选将上述含有率设定在0.5wt%~10wt%。上述交联性添加成分优选为二烯丙基化合物、炔化合物、或硅醇盐化合物。可以向上述放电生成气体中加入0.5vol%以下的氧气。 | ||
搜索关键词: | 表面 处理 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种膜表面处理方法,其特征在于,是在树脂制的被处理膜的表面上使聚合性单体进行等离子体聚合,从而在所述表面使所述聚合性单体的聚合物进行被膜的膜表面处理方法;该膜表面处理方法具备:第一处理工序,使含有经气化的所述聚合性单体和能够使所述聚合物进行等离子体交联的交联性添加成分的第一气体,与所述被处理膜接触,和第二处理工序,在所述第一处理工序之后或者与所述第一处理工序并行地,使放电生成气体进行等离子体化,而与所述被处理膜接触;其中,将所述第一气体中的所述交联性添加成分的相对于所述聚合性单体的含有率调节至规定范围内。
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