[发明专利]用于有机半导体器件的二酮基吡咯并吡咯低聚物

摘要

本发明涉及式(I)的低聚物，及其作为有机半导体在有机器件，尤其是在有机光伏器件(太阳能电池)和光电二极管，或在含有二极管和/或有机场效应晶体管的器件中的用途。在将本发明低聚物用于有机场效应晶体管、有机光伏器件(太阳能电池)和光电二极管中时，可观察到高能量转换效率、优异的场效应迁移率、良好的电流开/关比和/或优异稳定性。

主权项

一种式化合物，其中p为0或1，q为0或1，A1和A2相互独立地为式的基团，其中a为1，b为0或1，c为0或1，Ar1为下式基团：Ar2和Ar3相互独立地为下式基团：R3为氢或C1‑C25烷基，A3、A4和A5相互独立地为式的基团，k为0、1或2；l为1、2或3；r为0或1；z为0、1或2；其中k+l+r+z为1或3；Ar4、Ar5、Ar6和Ar7相互独立地为下式基团：R10为氢、C1‑C25烷基或COO‑C1‑C25烷基，R16和R17相互独立地为氢、卤素、C1‑C25烷基、C1‑C25烷氧基、C7‑C25芳基烷基或Rx为C1‑C12烷基或三(C1‑C8烷基)甲硅烷基，R20和R21相互独立地为氢或C1‑C25烷基，R30‑R35相互独立地为氢或C1‑C25烷基，和R42和R43相互独立地为C1‑C25烷基，R1、R2、R1’、R2’、R1”、R2”、R1*和R2*可相同或不同且选自C1‑C50烷基，条件为如果q为0，p为0，k为0，r为0，z为0和l为1，则Ar5不为基团