[发明专利]通过使用溶剂热方法制备硫化物化合物半导体的方法及硫化物化合物半导体的棒状晶体无效
| 申请号： | 201280027494.1 | 申请日： | 2012-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN103596882A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 神谷纯生;木下圭介;柳泽和道;陶海军 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社;国立大学法人高知大学 |
| 主分类号： | C01G19/00 | 分类号： | C01G19/00;H01L31/032 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;冷永华 |
| 地址： | 日本爱知*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制备包含Cu、Zn、Sn和S的硫化物化合物半导体的方法，其中所述方法包括在有机溶剂中进行Cu、Zn、Sn和S的溶剂热反应的溶剂热步骤，并提供了一种包含Cu、Zn、Sn和S的硫化物化合物半导体的棒状晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 使用 溶剂 方法 制备 硫化物 化合物 半导体 晶体 | ||
【主权项】：
一种制备包含Cu、Zn、Sn和S的硫化物化合物半导体的方法，其特征在于，所述方法包括在有机溶剂中进行Cu、Zn、Sn和S的溶剂热反应的溶剂热步骤。
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