[发明专利]多晶台、多晶元件和相关方法有效
| 申请号： | 201280018105.9 | 申请日： | 2012-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN103477018B | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | N·J·莱昂斯;D·E·斯科特;A·A·迪乔瓦尼;D·L·内尔姆斯 | 申请（专利权）人： | 贝克休斯公司 |
| 主分类号： | E21B10/46 | 分类号： | E21B10/46;C22C26/00;E21B10/567;E21B10/573;B24D3/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 柳冀 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 多晶元件，包括基底和附接到基底端部的多晶台。多晶台包括具有第一渗透率的超级磨料材料的第一区域和具有第二更低渗透率的超级磨料材料的至少第二区域，该至少第二区域介于基底和第一区域之间。形成多晶元件的方法，包括将多晶台附接到基底端部，该多晶台包括具有第一渗透率的超级磨料材料的第一区域和具有第二更低渗透率的超级磨料材料的至少第二区域，该至少第二区域介于第一区域和基底之间。从多晶台的至少第一区域除去催化剂材料。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 元件 相关 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶元件，其包括：基底；和多晶台，该多晶台附接到基底端部，并且包括具有第一渗透率的超级磨料材料的第一区域和具有第二更低渗透率的超级磨料材料的至少第二区域，该至少第二区域介于基底和第一区域之间，其中第一区域包含第一体积百分比的超级磨料材料的相互键合的晶粒之间的间隙，和至少第二区域包含第二更小体积百分比的超级磨料材料的相互键合的晶粒之间的间隙。
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