[发明专利]磁控溅射装置、磁控溅射装置的控制方法和成膜方法有效
| 申请号： | 201280008196.8 | 申请日： | 2012-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN103348038A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 吉田德生 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 磁控溅射装置中，按每一组对第一靶和第二靶连接交流电源，并该磁控溅射装置具备控制部，该控制部控制从在彼此相邻的组中与第一靶和第二靶连接的交流电源分别输出的各电压的相位差。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 装置 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种磁控溅射装置，包括：与作为处理对象的基板相对配置的靶部；对所述靶部供给电力的交流电源；和沿所述靶部往复移动的磁体部，所述磁控溅射装置的特征在于：在所述靶部中，交替地配置有多个第一靶和第二靶，并且设置有多个彼此相邻的所述第一靶和第二靶的组，所述交流电源按所述各组的每一组与所述第一靶和第二靶连接，所述磁控溅射装置具备控制部，该控制部控制从在彼此相邻的所述组中与所述第一靶和第二靶连接的所述交流电源分别输出的各电压的相位差。
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