[实用新型]一种高精度角位移传感器有效
申请号: | 201220673527.7 | 申请日: | 2012-12-10 |
公开(公告)号: | CN202947683U | 公开(公告)日: | 2013-05-22 |
发明(设计)人: | 阮在连 | 申请(专利权)人: | 扬州瑞毅汽车电子科技有限公司 |
主分类号: | G01B7/30 | 分类号: | G01B7/30 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 225000 江苏省扬州市开发*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开一种高精度角位移传感器,包括壳体和位于壳体内部的磁钢、霍尔元件,所述磁钢设在壳体的中心,霍尔元件设在磁钢旋转而使磁场覆盖的区域内,还包括屏蔽罩和磁集束器,所述屏蔽罩设在磁钢的外部,磁集束器设在屏蔽罩的外部,所述屏蔽罩设有缺口,并且所述缺口设在霍尔元件、磁钢之间,所述磁集束器至少覆盖所述缺口的外侧。由于采用了屏蔽罩,可以将磁钢的磁场进行有效的屏蔽,只能在磁钢的磁场正向通过屏蔽罩的缺口时,霍尔元件才能有效感应到磁场的磁通变化,而通过磁集束器可以将磁钢的磁场信号变得更加明显,这样就可以使集成芯片不用做太多的复杂计算即可得到角位移数据。 | ||
搜索关键词: | 一种 高精度 位移 传感器 | ||
【主权项】:
一种高精度角位移传感器,包括壳体和位于壳体内部的磁钢、霍尔元件,所述磁钢设在壳体的中心,霍尔元件设在磁钢旋转而使磁场覆盖的区域内,其特征在于,还包括屏蔽罩和磁集束器,所述屏蔽罩设在磁钢的外部,磁集束器设在屏蔽罩的外部,所述屏蔽罩设有缺口,并且所述缺口设在霍尔元件、磁钢之间,所述磁集束器至少覆盖所述缺口的外侧。
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