[实用新型]半导体器件在位检测装置有效

专利信息
申请号: 201220587593.2 申请日: 2012-11-08
公开(公告)号: CN202916452U 公开(公告)日: 2013-05-01
发明(设计)人: 王焕平 申请(专利权)人: 王焕平
主分类号: G01V8/14 分类号: G01V8/14
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518054 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型提供一种半导体器件在位检测装置,其包括:本体、反射器、红外接收器、及红外发射器,该红外接收器及红外发射器设于一PCB上而形成一传感器,该本体包括半导体器件,该传感器及反射器分别设于本体上半导体器件的相对两侧,且红外接收器与红外发射器分别与反射器相对设置。本实用新型杜绝了半导体器件自动烧录机或测试分选机在工作中因环境中的灰尘或芯片本身脱落的杂屑导致传感器失效问题。
搜索关键词: 半导体器件 在位 检测 装置
【主权项】:
一种半导体器件在位检测装置,其特征在于,包括:本体、反射器、红外接收器、及红外发射器,该红外接收器及红外发射器设于一PCB上而形成一传感器,该本体包括半导体器件,该传感器及反射器分别设于本体上半导体器件的相对两侧,且红外接收器与红外发射器分别与反射器相对设置。
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