[实用新型]使用数据采样的高精度运算放大器有效
申请号: | 201220448150.5 | 申请日: | 2012-09-05 |
公开(公告)号: | CN203193576U | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 包兴坤 | 申请(专利权)人: | 苏州硅智源微电子有限公司 |
主分类号: | H03F3/45 | 分类号: | H03F3/45 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215122 江苏省苏州市工业*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种使用数据采样的高精度运算放大器,通过调整CMOS晶体管对中负载晶体管间的跨导可使其偏移为零。这是通过两个跨导较小的N沟道晶体管实现的,它们分别平行于一个CMOS晶体管对中的N沟道负载晶体管。一个偏置电压加载到一个N沟道晶体管的栅极并且另一个电压加载到另一个N沟道晶体管的栅极。后者通过运算放大器的输入短路和输入阶段反馈路径的闭合提供,以使电路偏移为零。加载到另一个N沟道晶体管栅极的电压由电容存储,并在随后的采样周期中使用。 | ||
搜索关键词: | 使用 数据 采样 高精度 运算放大器 | ||
【主权项】:
一种使用数据采样的高精度运算放大器,其特征是:第一个CMOS晶体管对包括第一个P沟道晶体管和第一个N沟道负载晶体管,并且它们串行连接,每个晶体管有一个源极,栅极和漏极;第二个CMOS晶体管对包括第二个P沟道晶体管和第二个N沟道负载晶体管,并且它们串行连接,每个晶体管有一个源极,栅极和漏极;第一和第二个P沟道晶体管的源极相连且施加一个正电压;第一和第二个N沟道负载晶体管的源极相连且施加一个负电压;第一个输入施加到第一个P沟道晶体管的栅极;第二个输入施加到第二个P沟道晶体管的栅极;第一和第二个N沟道负载晶体管的栅极相连,并且与第一个P沟道和第一个N沟道负载晶体管的漏极分别互连。
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