[实用新型]射频系统中电子标签的天线限幅电路

摘要

本实用新型公开了射频系统中电子标签的天线限幅电路，包括第一N沟道增强型场效应管、第二N沟道增强型场效应管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一电容及第二电容，第一电阻的两端分别与第一N沟道增强型场效应管的漏极和第二电阻连接，第二电阻与第二N沟道增强型场效应管的漏极连接。第二电容串联第三电阻和第四电阻后与第一电容并联构成串并联线路，该串并联线路设有第三电阻的一端与第一电阻和第二电阻之间的线路连接。第一N沟道增强型场效应管和第二N沟道增强型场效应管两者的栅极均与第二电容和第四电阻之间的线路连接。采用上述结构，整体结构简单，便于实现，且在实现天线的电压限幅时不会对功率产生影响。

主权项

射频系统中电子标签的天线限幅电路，其特征在于：包括第一N沟道增强型场效应管（N1）、第二N沟道增强型场效应管（N2）、第一电阻（R1）、第二电阻（N2）、第三电阻（R3）、第四电阻（R4）、第一电容（C1）及第二电容（C2），所述第一电阻（R1）的两端分别与第一N沟道增强型场效应管（N1）的漏极和第二电阻（R2）连接，第二电阻（R2）相对连接第一电阻（R1）端的另一端与第二N沟道增强型场效应管（N2）的漏极连接，第一N沟道增强型场效应管（N1）源极和第二N沟道增强型场效应管（N2）源极均接地，所述第二电容（C2）两端分别串联第三电阻（R3）和第四电阻（R4）后与第一电容（C1）并联构成串并联线路，该串并联线路设有第三电阻（R3）的一端与第一电阻（R1）和第二电阻（R2）之间的线路连接，其另一端接地，所述第一N沟道增强型场效应管（N1）和第二N沟道增强型场效应管（N2） 两者的栅极均与第二电容（C2）和第四电阻（R4）之间的线路连接。