[实用新型]一种掩膜板有效

专利信息
申请号: 201220313751.5 申请日: 2012-06-28
公开(公告)号: CN202631947U 公开(公告)日: 2012-12-26
发明(设计)人: 李月 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G03F1/32 分类号: G03F1/32
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华
地址: 100176 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型公开了一种用于曝光工艺的掩膜板,包括透光衬底,透光衬底上具有至少一个图案区域,至少一个图案区域内具有半透光区和不透光区,半透光区与不透光区的宽度之和不小于曝光机的解析度,其中:不透光区的宽度小于曝光机的解析度,不透光区的至少一侧为半透光区;和/或,半透光区的宽度小于曝光机的解析度,半透光区的至少一侧为不透光区。本实用新型提供的掩膜板,通过半透光区实现对光刻胶的半曝光,经灰化去除经过半曝光的光刻胶后,基板上的光刻胶会形成宽度小于曝光机解析度的防护线,和/或,缝隙,然后再经过刻蚀剥离等工艺最终在基板中形成宽度较窄的线、和/或间隙,进而达到降低像素尺寸,提高像素密度的目的。
搜索关键词: 一种 掩膜板
【主权项】:
一种用于曝光工艺的掩膜板,包括透光衬底,所述透光衬底上具有至少一个图案区域,其特征在于,至少一个所述图案区域内具有半透光区和不透光区,半透光区与不透光区的宽度之和不小于曝光机的解析度,其中:所述不透光区的宽度小于曝光机的解析度,所述不透光区的至少一侧为半透光区;和/或,所述半透光区的宽度小于曝光机的解析度,所述半透光区的至少一侧为不透光区。
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