[实用新型]陶瓷基片双面光刻结构有效
申请号: | 201220276855.3 | 申请日: | 2012-06-13 |
公开(公告)号: | CN202677059U | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 刘毅楠 | 申请(专利权)人: | 刘毅楠 |
主分类号: | G03F1/64 | 分类号: | G03F1/64;G03F7/20;H01L21/027 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215129 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种陶瓷基片双面光刻结构,该双面光刻结构包括一支撑框架,支撑框架的上端设有上掩模板,支撑框架的下端设有下掩模板,上掩模板的上方及下掩模板的下方各设有一曝光装置,上掩模板、下掩模板之间设有一陶瓷基片支撑架,陶瓷基片支撑架上设有陶瓷基片,上掩模板、陶瓷基片、下掩模板三者的中心位置上下对应。该陶瓷基片双面光刻结构在陶瓷基片的上方、下方同时设置掩模板,通过上下两个曝光装置同时对陶瓷基片的上下表面进行曝光,这样就可保证陶瓷基片上下表面金属图形的位置绝对吻合,不会出现偏移,从而可有效保证陶瓷基片的质量,提高产品的合格率,采用这种方式还可有效提高生产效率,降低企业生产成本。 | ||
搜索关键词: | 陶瓷 双面 光刻 结构 | ||
【主权项】:
一种陶瓷基片双面光刻结构,其特征在于:其包括一支撑框架,所述支撑框架的上端设有上掩模板,所述支撑框架的下端设有下掩模板,所述上掩模板的上方及所述下掩模板的下方各设有一曝光装置,所述上掩模板、下掩模板之间设有一陶瓷基片支撑架,所述陶瓷基片支撑架上设有陶瓷基片,所述上掩模板、陶瓷基片、下掩模板三者的中心位置上下对应。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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