[实用新型]5020纳米带通红外滤光片有效
申请号: | 201220091305.4 | 申请日: | 2012-03-12 |
公开(公告)号: | CN202472024U | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 吕晶 | 申请(专利权)人: | 杭州麦乐克电子科技有限公司 |
主分类号: | G02B5/20 | 分类号: | G02B5/20;B32B9/04;B32B15/00 |
代理公司: | 杭州金源通汇专利事务所(普通合伙) 33236 | 代理人: | 唐迅 |
地址: | 310000 浙江省杭州市西*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种5020纳米带通红外滤光片,包括以Si为原材料的基板,以Ge、SiO为第一镀膜层和以Ge、SiO为第二镀膜层,且所述基板设于第一镀膜层与第二镀膜层之间,其特征是所述第一镀膜层与第二镀膜层均由不同厚度的Ge和SiO交互排列而成,且第一镀膜层中的Ge层和SiO层,第二镀膜层中的Ge层和SiO层,所述第一镀膜层最内侧为SiO,所述第二镀膜层最内侧为Ge。本实用新型得到的5020纳米带通红外滤光片,通过上述的设计,该红外滤波片实现了一种适合于火焰探测检测领域的应用,且中心波长定位为5020纳米,透过率为90%,可增强对火焰探测的分辨能力,提高检测精度,更好的满足实际中的使用要求。 | ||
搜索关键词: | 5020 纳米 通红 滤光 | ||
【主权项】:
一种5020纳米带通红外滤光片,包括以Si为原材料的基板(2),以Ge、SiO为第一镀膜层(1)和以Ge、SiO为第二镀膜层(3),且所述基板(2)设于第一镀膜层(1)与第二镀膜层(3)之间,其特征是所述第一镀膜层(1)由内向外依次排列有196nm厚度的SiO层、91nm厚度的Ge层、250nm厚度的SiO层、146nm厚度的Ge层、396nm厚度的SiO层、155nm厚度的Ge层、310nm厚度的SiO层、107nm厚度的Ge层、304nm厚度的SiO层、162nm厚度的Ge层、373nm厚度的SiO层、188nm厚度的Ge层、616nm厚度的SiO层、127nm厚度的Ge层、593nm厚度的SiO层、216nm厚度的Ge层、291nm厚度的SiO层、292nm厚度的Ge层、298nm厚度的SiO层、308nm厚度的Ge层、275nm厚度的SiO层、76nm厚度的Ge层和427nm厚度的SiO层;所述第二镀膜层(3)由内向外依次排列有153nm厚度的Ge层、716nm厚度的SiO层、309nm厚度的Ge层、1433nm厚度的SiO层、309nm厚度的Ge层、716nm厚度的SiO层、309nm厚度的Ge层、716nm厚度的SiO层、1238nm厚度的Ge层、426nm厚度的SiO层、407nm厚度的Ge层和464nm厚度的SiO层。
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