[发明专利]包括合成存储层的自参考磁随机存取存储器元件有效
| 申请号： | 201210597124.3 | 申请日： | 2012-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103165171B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | I·L·普雷贝亚努;L·隆巴尔;Q·施泰纳;K·麦凯 | 申请（专利权）人： | 克罗科斯科技公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L43/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 王岳,李浩 |
| 地址： | 法国格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及包括合成存储层的自参考磁随机存取存储器元件。本公开涉及一种包括磁隧道结的MRAM元件，该磁隧道结包括存储层，感测层，以及包含在存储层与感测层之间的隧道势垒层；存储层包括具有第一存储磁化的第一磁性层；具有第二存储磁化的第二磁性层；以及非磁性耦合层，将第一和第二磁性层分开，使得第一存储磁化与第二存储磁化基本上反平行；第一和第二磁性层被布置成使得在读温度处，第一存储磁化基本上等于第二存储磁化；并且在高于读温度的写温度处，第二存储磁化大于第一存储磁化。所公开的MRAM元件当在低温下冷却磁隧道结时产生低杂散场。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 合成 存储 参考 随机存取存储器 元件 | ||
【主权项】：
一种包括磁隧道结的随机存取存储器元件，该磁隧道结包括：存储层；感测层；以及包含在存储层与感测层之间的隧道势垒层；存储层包括：具有第一存储磁化的第一磁性层；具有第二存储磁化的第二磁性层；以及非磁性耦合层，将第一和第二磁性层分开，使得第一存储磁化与第二存储磁化基本上反平行；第一和第二磁性层被布置成使得：在读温度处，第一存储磁化基本上等于第二存储磁化；并且在高于读温度的写温度处，第二存储磁化大于第一存储磁化。
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