[发明专利]一种低电压工作的SRAM的存储单元电路有效
| 申请号： | 201210590336.9 | 申请日： | 2012-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103077741A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 刘波;柏娜;常红 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 汤志武 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种低电压工作的SRAM的存储单元电路，采用单端读写的双端口结构，由2个PMOS管MP1、MP2和6个NMOS管MN1～MN6组成，设有两个控端口cont和Colum。本发明的存储单元电路在保证读写正确的情况下，能够在近亚阈值的低电压下工作，从而降低了功耗；与传统的单端读写的存储单元电路相比，本发明的8T的存储单元电路能够采用CMUX结构，从而降低了整个SRAM的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电压 工作 sram 存储 单元 电路 | ||
【主权项】：
一种低电压工作的SRAM的存储单元电路，其特征是包括2个PMOS管MP1、MP2，6个NMOS管MN1～MN6，以及2个控制端口cont和Colum；电路结构采用单端读写的双端口结构：MP1管的源端连接电源电压VDD，其漏端连接至MN5管的源端、MN3管的漏端、MP2管的栅端和MN2的栅端，其栅端连接至MN1管的栅端、MN2管的漏端、MP2的漏端以及MN6管的源端；MP2管的源端连接电源电压VDD；MN1管的源端连接接地电压VSS，其漏端接MN3管的源端；MN2管的源端接VSS；MN3管的栅端接控制端口cont；MN4管的源端接MN5管的漏端，其漏端接位线BL，栅端接控制端口Colum；MN5管的栅端接字线WL；MN6管的漏端接读位线RBL，其栅端接读字线RWL；此外，所有的PMOS管的体端均与电源电压VDD相连，所有的NMOS管的体端均与接地电压VSS相连。
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