[发明专利]一种消逝场激发薄膜拉曼信号的增强方法及装置有效
| 申请号： | 201210575352.0 | 申请日： | 2012-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103901013A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 祁志美;胡德波;逯丹凤 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种消逝场激发薄膜拉曼信号的增强方法，所述方法将待测薄膜形成于棱镜表面，再将入射光射入棱镜并在棱镜/待测薄膜界面处发生全反射，利用全反射产生的消逝场激发待测薄膜的拉曼信号，然后增大待测薄膜上方覆盖层折射率，用于增强消逝场，最终实现待测薄膜拉曼信号的增强。该方法也可以利用光纤或光波导取代棱镜，通过增强光纤或光波导的消逝场实现待测薄膜拉曼信号的增强。本发明的拉曼信号增强方法操作简单，重复性好，具有良好的表面选择性，消逝场偏振状态灵活可调，覆盖层折射率易于控制，非常适合用于探测单分子吸附层，表面修饰层等固体超薄膜的拉曼信号。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 消逝 激发 薄膜 信号 增强 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种消逝场激发薄膜拉曼信号的增强装置，该装置包括：棱镜(2)、待测薄膜(5)、覆盖层(6)以及拉曼散射光收集装置(7)，其特征在于，所述待测薄膜(5)形成于棱镜(2)一底面，覆盖层(6)置于待测薄膜(5)上方，入射激光射入棱镜(2)后在棱镜(2)与待测薄膜(5)之间的界面处发生全反射，伴随全反射在同一界面处产生消逝场，该消逝场穿透待测薄膜(5)进入覆盖层(6)，进而激发待测薄膜(5)拉曼信号；通过增大覆盖层(6)的折射率增强在待测薄膜(5)内的消逝场，进而增强待测薄膜(5)拉曼信号，该增强的拉曼信号被拉曼散射光收集装置(7)收集后传入拉曼光谱仪进行分析。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院电子学研究所，未经中国科学院电子学研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210575352.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
