[发明专利]一种植入式蓝宝石基二维神经激励芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201210574025.3 | 申请日： | 2012-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103083827A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 孙小菡;董纳;陈源源;蒋卫锋 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | A61N5/06 | 分类号： | A61N5/06 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 211189 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种植入式蓝宝石基二维神经激励芯片及其制备方法。所述芯片为：在蓝宝石衬底的一个表面上设有电致发光阵列，在所述衬底另一个表面上设有蓝宝石探针阵列，作为所述芯片的可植入部分，所述探针阵列中的探针单元与所述电致发光阵列中的发光单元相对应。所述制备方法包括：在厚度大于1毫米的盖宝石衬底的一个表面依次制备氮化镓缓冲层、硅掺杂n型氮化镓层、多级氮化镓/铟镓氮量子阱及镁掺杂p型氮化镓层，经紫外光刻和刻蚀形成所述电致发光阵列，并采用紫外光刻、金属淀积等制备阴极和阳极；采用紫外曝光的光刻胶保护电致发光阵列，在所述衬底另一个表面上依次制备所述蓝宝石探针阵列的探头阵列和波导阵列，以形成蓝宝石探针阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 植入 蓝宝石 二维 神经 激励 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种植入式蓝宝石基二维神经激励芯片，其特征在于，包括： 蓝宝石(Al2O3)衬底(1)，在蓝宝石衬底(1)的一个表面上设有m×n电致发光阵列，在蓝宝石衬底(1)的另一个表面上设有m×n蓝宝石探针阵列，m×n电致发光阵列中的发光单元(2)与m×n蓝宝石探针阵列中的探针单元(3)相对应，m为1到20之间的任一正整数，n为1到20之间的任一正整数，所述m×n蓝宝石探针阵列为所述植入式蓝宝石基二维神经激励芯片的可植入部分。
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