[发明专利]一种类单晶硅铸锭用籽晶拼接方法有效
| 申请号： | 201210571603.8 | 申请日： | 2012-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103060892A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 钟德京;胡动力;张学日;刘海;陈小林 | 申请（专利权）人： | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/14 | 分类号： | C30B11/14;C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 338000 江西省新余*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种类单晶硅铸锭用籽晶拼接方法，用于定向凝固法类单晶硅铸锭，籽晶层由籽晶紧密排列而成，每两块籽晶拼接面上，至少一条所述拼接面的切线方向与坩埚底部平面的法线方向成α角，0°<α<90°。本发明采用拼接面切向与平底坩埚底部平面的法线方向，二者不重合的籽晶拼接方式，通过改变籽晶的形状来减少位错源、甚至减少多晶晶界的产生，实现全单晶，位错源少的类单晶生长。进而减少了硅片的位错缺陷，提高了单晶面积比例，提高了太阳能电池的光电转换效率、延长了电池的寿命，从而提高了光伏器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 种类 单晶硅 铸锭 籽晶 拼接 方法 | ||
【主权项】：
一种类单晶硅铸锭用籽晶拼接方法，用于定向凝固法类单晶硅铸锭，其特征在于，籽晶层由所述籽晶紧密排列而成，每两块所述籽晶拼接面上，至少一条所述拼接面的切线方向与坩埚底部平面的法线方向成α角，0°<α<90°。
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