[发明专利]一种基于谐振式结构的电涡流传感器芯片及其制备方法有效
| 申请号: | 201210567773.9 | 申请日: | 2012-12-24 |
| 公开(公告)号: | CN103090779A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
| 发明(设计)人: | 蒋庄德;许煜;赵立波;王苑;赵玉龙 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
| 主分类号: | G01B7/02 | 分类号: | G01B7/02;G01N27/90;B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司: | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人: | 贺建斌 |
| 地址: | 710049 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | 一种基于谐振式结构的电涡流传感器芯片及其制备方法,芯片包括激励线圈和谐振结构两部分,谐振结构位于芯片中心,拾振电阻中的参考电阻位于芯片周围,检测电阻布置在检测梁上,两组电阻都是一端与连入惠斯通电桥,一端接地;制备方法为:先清洗双面抛光SOI硅片,淀积氮化硅,背面光刻去掉特定区域的氮化硅,然后刻蚀下层单晶硅,去除正面的氮化硅,进行硼掺杂,获得P型掺杂硅检测电阻,再刻蚀光刻胶,形成平面线圈、直流导线、内引线的掩膜图案;然后溅射沉积铝,并去除剩余的光刻胶;光刻胶形成谐振梁图案,刻蚀形成谐振梁结构;最后经过划片得到所设计的基于谐振式结构的电涡流传感器的单个管芯,本发明实现对微位移、微缺陷的精确测量。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 基于 谐振 结构 涡流 传感器 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种基于谐振式结构的电涡流传感器芯片,包括激励线圈(6)和谐振结构两部分,其特征在于:激励线圈(6)为矩形平面线圈结构,谐振结构由谐振梁(10)、直流导线(8)、拾振电阻(7)和惠斯通电桥连接构成,谐振结构位于芯片中心,激励线圈(6)围绕于谐振结构,谐振梁(10)包括中心梁(10‑3)、布置直流导线(8)的驱动梁(10‑1)和布置检测电阻的检测梁(10‑2),,驱动梁(10‑1)和检测梁(10‑2)两端根部通过中心梁(10‑3)连接,拾振电阻(7)中的第一参考电阻(7‑1)和第二参考电阻(7‑2)位于芯片周围,第一检测电阻(7‑3)、第二检测电阻(7‑4)布置在检测梁(10‑2)上,四个电阻组成惠斯通电桥;直流导线(8)沿谐振梁(10)方向由一端驱动梁(10‑1)接入,从另一端驱动梁(10‑1)接出。
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