[发明专利]一种基于光发射二极管紫外灯光的微流体制备方法有效
申请号: | 201210563453.6 | 申请日: | 2012-12-22 |
公开(公告)号: | CN103011062A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 何立群;吴平;季杰 | 申请(专利权)人: | 中国科学技术大学 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00 |
代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人: | 成金玉 |
地址: | 230026 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种基于光发射二极管紫外灯光的微流体制备方法。该方法利用20mW/cm2低功率紫外光(365nm)刻蚀涂在硅表面的有机涂层,形成最小宽度约50μm的槽,槽的横截面为矩形,立面高度可以通过调节均胶机转数进行控制。在整个工艺过程中,操作环境可在超净环境内完成,也可在普通暗室内完成。相比于传统方法,该微流体制备方法方便简单,成本低,易于普及。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 发射 二极管 紫外 灯光 流体 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种基于光发射二极管紫外灯光的微流体制备方法,其特征在于实现步骤如下:(1)制作胶膜:将硅片置于甩胶机吸盘上,滴上光刻反胶,开动甩胶机,使光刻胶在硅片上均匀铺开,光刻胶厚度由转数控制;光刻胶厚度稳定后,停下甩胶机,将硅片置于程控加热板进行120度2分钟烘烤,在硅片表面固化成薄膜;(2)光刻过程:在薄膜表面覆盖掩膜图案,采用LED紫外光照射,掩膜图案所透射的光将其下面的光刻胶变性,当浸泡在光刻胶清洗液内时,掩膜图案以外的部分将被清洗掉,留下隆起的图案,形成下一步浇注的模具,形成模具图案;所述LED紫外光为20mW/cm2低功率紫外光,波光长365nm;(3)浇注成型:经过150度烘烤1小时,模具图案得以固化;然后将所述模具图案表面朝上,并将此模具图案放置在一个浅容器内;再将模型胶浇入到该浅容器内,经过真空除气后,加热至95度固化1小时,将模具图案转录固化在胶的底部;随后将浅容器取出在环境温度下自然冷却,然后用刀切割包含图案的部分,完毕后,揭下带有凹槽图案的胶;(4)封装芯片:将切下的凹槽图案表面和硅片表面经过激活处理,然后将两者压合在一起;在通道头尾两部分插上管接头,并随即用树脂密封胶合,即构成微流体芯片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学技术大学,未经中国科学技术大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210563453.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。