[发明专利]一种用于绝缘硅工艺的小尺寸、快速翻转施密特触发器电路有效
申请号: | 201210554649.9 | 申请日: | 2012-12-17 |
公开(公告)号: | CN103066955A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
发明(设计)人: | 李阳 | 申请(专利权)人: | 广州慧智微电子有限公司 |
主分类号: | H03K3/3565 | 分类号: | H03K3/3565 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 510663 广东省广州市高新技术产业*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于绝缘硅工艺的小尺寸、快速翻转施密特触发器电路,它通过采用PMOS/NMOS体控制电路来改变阈值电压,使由高电平到低电平的输入跳变和由低电平到高电平的输入跳变具有不同的翻转阈值,从而实现施密特触发器功能。通过采用PMOS/NMOS体控制电路,减小了上升和下降的时间,同时也减小了上拉路径上和下拉路径上的晶体管数目,使电路比传统结构翻转速度快、尺寸小。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 绝缘 工艺 尺寸 快速 翻转 施密特触发器 电路 | ||
【主权项】:
一种用于绝缘硅工艺的小尺寸、快速翻转施密特触发器电路,它通过采用PMOS/NMOS体控制电路来改变阈值电压,使由高电平到低电平的输入跳变和由低电平到高电平的输入跳变具有不同的翻转阈值,从而实现施密特触发器功能,其电路包括两个PMOS晶体管,两个NMOS晶体管,以及PMOS/NMOS体控制电路。
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