[发明专利]高场非对称和吸入式复合离子迁移谱仪无效

专利信息
申请号: 201210528213.2 申请日: 2012-12-06
公开(公告)号: CN103854948A 公开(公告)日: 2014-06-11
发明(设计)人: 李杨;李海洋;王卫国;赵琨;王祯鑫 申请(专利权)人: 中国科学院大连化学物理研究所
主分类号: H01J49/00 分类号: H01J49/00;H01J49/06;G01N27/62
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 代理人: 马驰
地址: 116023 *** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明公开了高场非对称和吸入式复合离子迁移谱仪。高场非对称波形离子迁移谱施加射频电压后,通过在一定范围内对补偿电压进行扫描,就可以使得样品离子在特定补偿电压下通过迁移区而得到检测,补偿电压非匹配的样品离子在吸入式离子迁移谱的电场和高场非对称离子迁移谱的电场共同作用下,到达吸入式离子迁移谱的检测电极,从而可以得到在单一高场非对称离子迁移谱中泯灭的样品离子信息。不丢失离子信息,为实际应用和科学研究提供更为全面的样品信息。
搜索关键词: 高场非 对称 吸入 复合 离子 迁移
【主权项】:
高场非对称和吸入式复合离子迁移谱仪,包括离子迁移区,其特征在于:一对相互平行设置的长方形板状电极,作为高场非对称电极;一对相互平行设置的长方形板状电极,作为吸入式对称电极;由高场非对称电极和吸入式对称电极的四块极板作为侧壁共同围成一个左右二端开口的方形筒体,高场非对称电极极板与吸入式对称电极的极板相垂直,方形筒体的内部空间即为离子迁移区;于方形筒体的左端设有离子源,于方形筒体的右端依次设有屏蔽电极和接收极;接收极包括离子接收面面向方形筒体开口端的高场非对称场接收极、以及离子接收面平行于吸入式对称电极的极板的对称场接收极。
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