[发明专利]低频率常数改性偏铌酸铅压电陶瓷材料及其制备方法和应用有效
申请号: | 201210516363.1 | 申请日: | 2012-12-05 |
公开(公告)号: | CN102976753A | 公开(公告)日: | 2013-03-20 |
发明(设计)人: | 李玉臣;董显林;姚烈 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | C04B35/499 | 分类号: | C04B35/499;C04B35/472;C04B35/622 |
代理公司: | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人: | 曹芳玲 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种低频率常数改性偏铌酸铅压电陶瓷材料及其制备方法和应用,所述低频率常数改性偏铌酸铅压电陶瓷材料的化学组成为:xPb1-m-n(Lam·Sr)Nb2O6+y(y1PbTiO3+y2BiScO3)+pwt%CeO2+qwt%SiO2+uwt%Ta2O5,式中,0.001≤x≤1,0.001≤y≤1,x+y=1,0.01≤m+n≤0.5,0.001≤p≤2,0.001≤q≤2,0.001≤u≤2,0.6≤y1≤0.7,0.3≤y2≤0.4,y1+y2=1。本发明材料具有谐振频率单一,灵敏度高,接收信号幅度宽,稳定性好的特点,可以应用于制备骨密度仪超声换能器。 | ||
搜索关键词: | 频率 常数 改性 偏铌酸铅 压电 陶瓷材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
一种低频率常数改性偏铌酸铅压电陶瓷材料,其特征在于,所述压电陶瓷材料的化学组成为:xPb1‑m‑n(Lam·Sr)Nb2O6+y(y1PbTiO3+y2BiScO3)+pwt%CeO2+qwt%SiO2+uwt%Ta2O5,式中,0.001≤x≤1,0.001≤y≤1,x+y=1,0.01≤m+n≤0.5,0.001≤p≤2,0.001≤q≤2,0.001≤u≤2,0.6≤y1≤0.7,0.3≤y2≤0.4,y1+y2=1。
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