[发明专利]一种异形西瓜大棚盆钵无土栽培方法

摘要

本发明涉及一种大棚异形西瓜盆钵无土栽培方法。选择地势平坦、土壤肥沃、灌排良好的沙质壤土搭建大棚，定植于口径40cm的花盆内。使用穴盘育苗，育苗栽培基质是由fafard泥炭、珍珠岩与多菌灵按质量比例为200：50：1混合而成；待幼苗长到两片子叶移栽至花盆内，采用吊蔓生长，2蔓～3蔓整枝，每天上午10时以前进行人工辅助授粉，授粉后一周定果。采用无毒聚丙烯塑料制作异性西瓜模具，授粉10～15d后选果型较正、果柄较长的幼果套模，每隔5d左右翻模一次，西瓜在模内充分长成模具型状且八成熟时便可采收。本发明适用于无公害农产品大棚异形西瓜生产，使西瓜作物优质、优产，并增强了其观赏性实现了高档化生产，提高农民生产效益。

主权项

一种异形西瓜大棚盆钵无土栽培方法，其特征在于：按如下步骤实现：（1）大棚搭建：宜选择地势平坦、土壤肥沃、灌排良好的沙质壤土；竹木大棚宽为4.5m、高1.8 m～2.2m，拱间距0.6cm～0.8 cm；或钢架大棚拱间距0.8cm～1.0 cm，跨度6m～8m，肩高1.4m～1.8m，棚高2.5m～3.2m；（2）育苗：使用穴盘育苗采用fafard泥炭、珍珠岩与多菌灵质量比例为200：50：1混合的基质；将西瓜种子种植于基质内，温度白天控制在28～32℃，夜间控制在20～25℃；西瓜5～6d出苗，温度白天保持在22～24℃，夜间l5～l8℃；（3）移栽：一般春栽2月下旬至3月中旬定植，夏秋栽7月下旬至8月上旬定植；定植于口径40cm的花盆内，定植前在大棚内深翻土地，制作三条可放置花盆的深沟，宽、深45cm，将花盆依次放入；种植基质为fafard一号种植泥炭；（4）瓜田管理：缓苗期及时补苗；白天大棚内气温控制在25℃～32℃左右，夜间温度不低于13℃，不需浇水；伸蔓期白天温度为25℃～28℃，夜间温度不低于15℃，采用2蔓～3蔓整枝，瓜蔓长至40cm～50cm时吊蔓，以后每隔4节～6节吊1次；开花座果期白天温度宜保持在28℃～32℃，夜间不低于15℃；每天上午10时以前进行人工辅助授粉；授粉后一周定果，选留第二或第三雌花座果，一株可留2个或多个果；（5）模具制作：异形西瓜模具为透光材料构成，所述的模具顶部设有排水孔，模具中心位置设有开孔；（6）选瓜装模：授粉后10～15d，选果型较正、果柄较长的幼果开始装模，每株装1～2个果，每个模具装一个幼果；若一株有2个正型果，装模前后时间差在1～2天；（7）装模后的管理：装模后每隔5d左右翻一次；（8）病虫害防治；（9）采收：西瓜在模内充分长成模具型状且八成熟时便可采收。