[发明专利]高耦合效率的三维锥形端口结构光波导器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201210495418.5 | 申请日： | 2012-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN102944914A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 高阳 | 申请（专利权）人： | 深圳市中兴新地通信器材有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/13 | 分类号： | G02B6/13;G02B6/134;G02B6/122 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518129 广东省深圳市龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种高耦合效率的三维锥形端口结构光波导器件的制作方法，包括：一次离子交换步骤，在玻璃基体上进行第一次离子交换，形成玻璃基体表面的平面光波导；光波导掩埋步骤，在电场以及高温环境下将所述光波导埋到玻璃基体中间，形成掩埋的平面光波导；二次离子交换步骤，在所述玻璃基体的第一侧面上进行第二次离子交换，在所述平面光波导的端口位置形成三维锥形结构。本发明还公开了相应的高耦合效率的三维锥形端口结构光波导器件。本发明可在三维立体方向实现波导的全面锥形化，大大降低光波导的光耦合难度、大幅度提高其光耦合效率、且便于调节其发散角和耦合效率。 | ||
| 搜索关键词： | 耦合 效率 三维 锥形 端口 结构 波导 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种高耦合效率的三维锥形端口结构光波导器件的制作方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：一次离子交换步骤，在玻璃基体上进行第一次离子交换，形成玻璃基体表面的平面光波导；光波导掩埋步骤，在电场以及高温环境下将所述光波导埋到玻璃基体中间，形成掩埋的平面光波导；二次离子交换步骤，在所述玻璃基体的第一侧面上进行第二次离子交换，在所述掩埋的平面光波导的端口位置形成三维锥形结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市中兴新地通信器材有限公司，未经深圳市中兴新地通信器材有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210495418.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高自锐性金刚石的合成工艺
- 下一篇：一种棒状氢氧化镧纳米晶的制备方法
