[发明专利]千层金组培快繁工艺

摘要

本发明公开了千层金组培快繁工艺，它包括以下步骤：S1、外植体灭菌，S2、启动培养，将灭菌后的外植体切割至2～3cm幼嫩茎段，接种于启动培养基中培养；S3、初代培养，将腋芽切下转移至初代培养基上进行培养；S4、继代培养，将腋芽切下转移至继代培养基中进行培养；S5、炼苗移栽，将生根健壮的千层金组培苗，洗掉培养基后，直接移栽进温室大棚苗床中。本发明的有益效果是：本发明利用组织培养技术，获得千层金组培苗，培养基配方简单，培养流程简捷，操作简便，繁殖系数较高，能够比较容易的获得千层金无菌苗，炼苗易成活；省时省力，为千层金工厂化育苗及其深加工提供了技术支持。

主权项

千层金组培快繁工艺，其特征在于：它包括以下步骤：S1、外植体灭菌，采集无病虫害的千层金幼嫩茎段，去掉多余叶片，于流水中冲洗半个小时以上，再用洗涤剂浸泡8～12min，最后用流水冲洗，直至无泡沫出现，再放入超净工作台上，用酒精处理15～25s，无菌水清洗1遍，升汞处理3～7min，无菌水冲洗4～6遍；S2、启动培养，将灭菌后的外植体切割至2～3cm幼嫩茎段，接种于启动培养基中，启动培养基为MS+6‑BA 0.5mg/L+蔗糖30g/L+琼脂5g/L，PH调整至5.8～6.2，于光照强度为3000LX，光照时间15～17h/d，温度22～26℃的培养室中培养2～3周，生长出腋芽；S3、初代培养，将腋芽切下转移至初代培养基上进行培养，初代培养基为MS+6‑BA 0.5mg/L+NAA 0.2mg/L+蔗糖30g/L+琼脂5g/L，PH调整至5.8～6.2，于光照强度为3000LX，光照时间15～17h/d，温度22～26℃的培养室中培养3～4周，植株生长并生根，在叶腋处重新生长出腋芽；S4、继代培养，将腋芽切下转移至继代培养基中，继代培养基与启动培养基相同，培养3～4周后，在植株的叶腋处又重新分化出新的腋芽；S5、炼苗移栽，将生根健壮的千层金组培苗，洗掉培养基后，直接移栽进温室大棚苗床中，移栽基质为草炭土混合蛭石，草炭土与蛭石的混合比例1～3:1。